SiPコンソーシアム
SiPコンソーシアム参加企業
SiP(System in Package)コンソーシアムは半導体パッケージング技術をベースとし
3次元・超小型・高密度実装の技術開発に取り組んでいます。
お問い合わせENGLISH
SiP技術開発紹介SiPコンソーシアム概要
ロードマップタスク紹介技術資料SiPコンソーシアムとは?入会案内理事長挨拶所在地・連絡先
凸版印刷株式会社
凸版印刷株式会社
SiPソリューションに対する取り組み
凸版印刷は、これまでに培ってきた印刷技術を電子部品の設計・製造に広く展開し、リードフレーム、テープ基板等のLSIパッケージ関連製品を生産しています。
今後の発展が大いに期待されているSiP分野においては、コーティング、フォトファブリケーション、ラミネート技術等を活用して、小型・軽量・薄型・高密度化および高速信号伝送にも対応可能な多層テープ基板の開発を行っています。また、LSIデザインやアプリケーションデザインサービスおよび電気特性や熱解析等のシミュレーション技術を提供して、様々な問題の解消を目指しています。凸版印刷は、このような製品やサービスを一つのSiPソリューションとして位置付けています。
 
TOPPAN Multi-layer Tape Substrate
  高速・多ピン・薄型・ICパッケージ対応コアレス基板
特徴/Features
   
  コアレス構造
  ・軽薄化を実現(4層基板厚:150μm 6層基板厚:220μm)
   
  高密度配線を実現
  ・L/S=20/20μm、ビア径:40μm(フィルドビア構造)
・L/S=15/15μm開発中
   
  高速対応基材
  ・絶縁材料に低誘電率、低誘電正接のポリイミドを選択
   
  リールtoリール工法
  ・高加工精度、高再現性 → 特性インピーダンス整合容易
 
     
■基板構造/Structure
 
■標準仕様/Standard Spec
  仕様項目 単位 仕様数値
基板 最小配線幅/配線間隔 μm 20/20
最小FC pad径 μm 130
最小ビア径(内層) μm 40
最小ビア径(外層) μm 50
最小ビアランド径 μm 90
最小ビア間隔 μm 150
絶縁層厚 μm 22〜25
配線層厚 μm 9
ソルダーマスク 最小ソルダーマスク開口径 μm 90
ソルダーマスク層厚:配線上 μm 20
表面処理 無電解Ni層厚 μm 3
無電解Au層厚 μm 0.03
  フィルドビア構造(断面)
フィルドビア構造(断面)
 
■実装一例
実装断面図
 
  評価条件 評価結果
PKG -55℃125℃
1,000cyc.
10/10 OK
Board -40℃125℃
500cyc.
5/5 OK
 
技術資料/カタログ
タイトル 資料/カタログ
Coreless Substrate PDF(172KB)
エレクトロニクス部門のご案内 PDF(7,883KB)
 
リンク
凸版印刷株式会社
トッパン・テクニカル・デザインセンター(TDC)
詳細及びこの他の製品、技術については弊社オフィシャルサイトでご紹介しております。合わせてご覧下さい。
 
 
個人情報保護方針 PAGEUP
COPYRIGHT(C) 2006 SiP CONSORTIUM. ALL RIGHT RESERVED.